بررسی و شبیه‌سازی ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی
صفحه اصلی سازمان فارسی  English 
سازمان اسناد و كتابخانه ملی جمهوری اسلامی ایران
راهنمای کاربران
صفحه کلید فارسی
تماس با ما
گزارش آماری انواع ماده
   یادآوری مهم:
صفحه کلید را در حالت فارسی قرار دهید. اگر مرورگر شما از امکانات فارسی بهره‌مند نیست، می‌توانید برای تایپ فارسی از صفحه کلید فارسی استفاده نمایید.
برچسبی   
 
‏سرشناسه : رادسر، طاهره، ‏‫۱۳۶۵ -‏‏‏
‏عنوان و نام پديدآور : بررسی و شبیه‌سازی ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی/ تالیف طاهره رادسر ؛ ويراستار علمی حسين سلطانی.
‏مشخصات نشر : تهران: رادسر‏‫، ۱۳۹۵.‬
‏مشخصات ظاهری : ‏‫۲۲۵ص.‬: مصور، جدول، نمودار.
‏شابک : ‏‫۱۵۰۰۰۰ ریال‬:‏‫‭978-600-95553-5-2‬‬
‏وضعیت فهرست نویسی : فاپا
‏يادداشت : ‏‫پشت جلد به انگلیسی : Tahereh Radsar . Research and simulation of carbon nanotube field‭... .
‏یادداشت : کتابنامه : ص. ۲۲۰ - ۲۲۵.
‏موضوع : نانو لوله‌های کربنی
‏موضوع : ترانزیستورها با اثر میدان
‏موضوع : مواد نانوساختار
‏رده بندی کنگره : ‏‫TA۴۱۸/۹‭‬ ‭/ن۲‏‫‭ر۱۳ ۱۳۹۵
‏رده بندی دیویی : ‏‫‭۶۲۰/۵‬
‏شماره کتابشناسی ملی : ۴۲۱۶۱۵۷
 
   آدرس ثابت  بررسی و شبیه‌سازی ترانزیستورهای اثر میدان نانولوله کربنی
بعد  قبل     
 
 
كلیه حقوق این سایت محفوظ است. سازمان اسناد و كتابخانه ملی جمهوری اسلامی ایران
Powered by Pars Azarakhsh